VS-GA100NA60UP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GA100NA60UP
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 730 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 430 nC
Тип корпуса: SOT227
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GA100NA60UP Datasheet (PDF)
vs-ga100na60up.pdf

VS-GA100NA60UPwww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 AFEATURES Ultrafast: Optimized for minimum saturationvoltage and speed 0 to 40 kHz in hardswitching, > 200 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses Fully isolated package (2500 VAC/RMS) Very low internal inductance ( 5 nH typical)
vs-ga100ts60sfpbf.pdf

VS-GA100TS60SFPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf-Bridge IGBT INT-A-PAK,(Standard Speed IGBT), 100 AFEATURES Standard speed PT IGBT technology Optimized for hard switching speed FRED Pt antiparallel diodes with fast recovery Very low conduction losses Al2O3 DBC UL approved file E78996 Designed for industrial level Material catego
vs-ga100ts120upbf.pdf

VS-GA100TS120UPbFwww.vishay.comVishay Semiconductors INT-A-PAK Half-Bridge (Ultrafast Speed IGBT), 100 AFEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast: Optimized for high speed 8 kHz to40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonantmode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard
vs-ga200hs60s1pbf.pdf

VS-GA200HS60S1PbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsINT-A-PAK Half Bridge IGBT(Standard Speed IGBT), 200 AFEATURES Gen 4 IGBT technology Standard: optimized for hard switching speed Very low conduction losses Industry standard package UL approved file E78996 Designed and qualified for industrial level Material categorization: for definitions of compl
Другие IGBT... APT30GT60BRG , APT30GS60BRDQ2G , APT30GS60SRDQ2G , AP50GT60SW-HF , MMIX1X100N60B3H1 , RJH1BF7RDPQ-80 , RJH1DF7RDPQ-80 , RJH1CF7RDPQ-80 , FGH40N60UFD , APT35GP120JDQ2 , APT40GP90JDQ2 , APT46GA90JD40 , APT40GP60JDQ2 , APT36GA60B , APT36GA60BD15 , APT36GA60S , APT36GA60SD15 .
History: PPNHZ52F120B | DGW30N65BTH | IXER20N120D1 | APT46GA90JD40
History: PPNHZ52F120B | DGW30N65BTH | IXER20N120D1 | APT46GA90JD40



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet