Справочник IGBT. RJH60F6BDPQ-A0

 

RJH60F6BDPQ-A0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH60F6BDPQ-A0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 297.6 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247A
 

 Аналог (замена) для RJH60F6BDPQ-A0

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F6BDPQ-A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  renesas
 rjh60f6bdpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F6BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6BDPQ-A0 R07DS0632EJ0100600V - 45A - IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Feb 17, 2012Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at

 7.1. Size:87K  renesas
 rjh60f6dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F6BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPQ-A0 R07DS0327EJ0200600 V - 45 A - IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (a

 7.2. Size:86K  renesas
 r07ds0236ej rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200(Previous: REJ03G1940-0100)Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 30, 2010Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

 7.3. Size:83K  renesas
 rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200(Previous: REJ03G1940-0100)Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 30, 2010Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SPM1006 | IXGH40N60 | IRGB4B60KD1PBF | IXSH30N60B | FGH40T65UQDF

 

 
Back to Top

 


 
.