RJH60F7BDPQ-A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60F7BDPQ-A0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328.9 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF

Тип корпуса: TO247A

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60F7BDPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F7BDPQ-A0 даташит

 ..1. Size:93K  renesas
 rjh60f7bdpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F7BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F7BDPQ-A0 R07DS0633EJ0100 600V - 50A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Feb 17, 2012 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at

 7.1. Size:89K  renesas
 r07ds0328ej rjh60f7dpq.pdf pdf_icon

RJH60F7BDPQ-A0

Preliminary Datasheet B0 RJH60F7DPQ-A0 R07DS0328EJ0200 600 V - 50 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 B1 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns

 7.2. Size:82K  renesas
 rjh60f7adpk.pdf pdf_icon

RJH60F7BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300 (Previous REJ03G1837-0200) Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jan 05, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

 7.3. Size:85K  renesas
 r07ds0237ej rjh60f7adp.pdf pdf_icon

RJH60F7BDPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300 (Previous REJ03G1837-0200) Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jan 05, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT33GF120BRG, RJH60F6BDPQ-A0, AP50G60SW-HF, BSM100GAL120DLCK, TGAN25N120ND, AOK50B60D1, AOK40B60D, CIF25P120P, CRG60T60AK3HD, APT45GP120JDQ2, APT50GP60JDQ2, TGAN30N120FD, TGH30N120FD, APT44GA60B, APT44GA60BD30, APT44GA60S, APT44GA60SD30