APT64GA90LD30 - аналоги и описание IGBT

 

APT64GA90LD30 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: APT64GA90LD30

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 318 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для APT64GA90LD30

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT64GA90LD30 даташит

 ..1. Size:226K  microsemi
 apt64ga90b2d30 apt64ga90ld30.pdf pdf_icon

APT64GA90LD30

APT64GA90LD30 APT64GA90B2D30 900V APT64GA90LD30 High Speed PT IGBT POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies

 5.1. Size:199K  microsemi
 apt64ga90b.pdf pdf_icon

APT64GA90LD30

APT64GA90B APT64GA90S 900V High Speed PT IGBT APT64GA90S POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - D3PAK VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies pr

 5.2. Size:199K  microsemi
 apt64ga90s.pdf pdf_icon

APT64GA90LD30

APT64GA90B APT64GA90S 900V High Speed PT IGBT APT64GA90S POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - D3PAK VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies pr

Другие IGBT... APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG , APT30GP60BG , TGL60N100ND1 , APT64GA90B , APT64GA90B2D30 , IRG4PC50W , APT64GA90S , APT100GN60B2G , APT100GT60JRDL , APT100GT60JRDQ4 , APT60GT60BRG , APT60GT60SRG , APT200GT60JR , APT68GA60B .

History: APT100GN60LDQ4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.