Справочник IGBT. TGL40N120FD

 

TGL40N120FD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGL40N120FD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для TGL40N120FD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL40N120FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  trinnotech
 tgl40n120fd.pdf pdf_icon

TGL40N120FD

TGL40N120FDField Stop Trench IGBTFeatures: 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationG C EApplications :Induction Heating, Soft switching application, UPS, Welder, InverterDevice Package Marking RemarkTGL40N120FD TO-264 TGL

 5.1. Size:1043K  trinnotech
 tgl40n120nd.pdf pdf_icon

TGL40N120FD

TGL40N120NDNPT Trench IGBTFeatures: 1200V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationG C EApplications :Induction Heating, general purpose inverter applicationDevice Package Marking RemarkTGL40N120ND TO-264 TGL40N120ND RoHSAbsolute Max

Другие IGBT... IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G , FGH60N60SFD , TGL40N120ND , IGW75N60H3 , IKW75N60H3 , APT25GP120BG , APT25GP90BG , AOK60B60D1 , APT50GS60BRDQ2G , APT50GS60SRDQ2G .

History: APT15GP60BDQ1G

 

 
Back to Top

 


 
.