TGL40N120ND - аналоги и описание IGBT

 

TGL40N120ND - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGL40N120ND

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для TGL40N120ND

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL40N120ND даташит

 ..1. Size:1043K  trinnotech
 tgl40n120nd.pdf pdf_icon

TGL40N120ND

TGL40N120ND NPT Trench IGBT Features 1200V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Induction Heating, general purpose inverter application Device Package Marking Remark TGL40N120ND TO-264 TGL40N120ND RoHS Absolute Max

 5.1. Size:1051K  trinnotech
 tgl40n120fd.pdf pdf_icon

TGL40N120ND

TGL40N120FD Field Stop Trench IGBT Features 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Induction Heating, Soft switching application, UPS, Welder, Inverter Device Package Marking Remark TGL40N120FD TO-264 TGL

Другие IGBT... APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G , TGL40N120FD , GT30G124 , IGW75N60H3 , IKW75N60H3 , APT25GP120BG , APT25GP90BG , AOK60B60D1 , APT50GS60BRDQ2G , APT50GS60SRDQ2G , IRG7PH46UD-E .

History: APT80GA90LD40

 

 

 

 

↑ Back to Top
.