Справочник IGBT. TGL40N120ND

 

TGL40N120ND Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGL40N120ND
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 340 nC
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для TGL40N120ND

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL40N120ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  trinnotech
 tgl40n120nd.pdf pdf_icon

TGL40N120ND

TGL40N120NDNPT Trench IGBTFeatures: 1200V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationG C EApplications :Induction Heating, general purpose inverter applicationDevice Package Marking RemarkTGL40N120ND TO-264 TGL40N120ND RoHSAbsolute Max

 5.1. Size:1051K  trinnotech
 tgl40n120fd.pdf pdf_icon

TGL40N120ND

TGL40N120FDField Stop Trench IGBTFeatures: 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationG C EApplications :Induction Heating, Soft switching application, UPS, Welder, InverterDevice Package Marking RemarkTGL40N120FD TO-264 TGL

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SIGC03T60SE

 

 
Back to Top

 


 
.