IRGP4063-E - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IRGP4063-E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
Тип корпуса: TO247AD
Аналог (замена) для IRGP4063-E
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IRGP4063-E даташит
irgp4063-e.pdf
PD - 97404 IRGP4063PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGP4063-EPbF Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) Temperature co-effic
auirgp4063d auirgp4063d-e.pdf
AUIRGP4063D AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4063D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology IC = 60A, TC = 100 C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.6V 100% of the
Другие IGBT... APT25GP90BG , AOK60B60D1 , APT50GS60BRDQ2G , APT50GS60SRDQ2G , IRG7PH46UD-E , IRG7PH42U-EP , APT50GN60BG , APT60GA60JD60 , SGH80N60UFD , IRG7PH42UD-EP , APT47GA60JD40 , AP50G60W-HF , AOK30B60D , APT25GN120B2DQ2G , APT25GN120BG , APT25GN120SG , IRGP4069D-E .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor








