Справочник IGBT. NGB18N40A

 

NGB18N40A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGB18N40A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NGB18N40A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGB18N40A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 ngb18n40a.pdf pdf_icon

NGB18N40A

NGB18N40CLB,NGB18N40ACLBIgnition IGBT18 Amps, 400 VoltsN-Channel D2PAKhttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped18 AMPS, 400 VOLTSprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesVCE(on) 3 2.0 V @include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever hi

 6.1. Size:87K  1
 ngb18n40clb.pdf pdf_icon

NGB18N40A

NGB18N40CLBT4Ignition IGBT18 Amps, 400 VoltsN-Channel D2PAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedhttp://onsemi.comprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTShigh current swit

Другие IGBT... IRG7PH35U-EP , APT15GT60BRDQ1G , APT15GT60BRG , RJH1CF4RDPQ-80 , APT11GF120BRDQ1G , APT11GF120KRG , NGB8245 , STGP19NC60H , IRG4PC50UD , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF .

History: IXXK300N60B3 | IXYQ40N65C3D1 | MG150Q2YS65H | IXSH15N120AU1 | MP6752 | APTGT30SK170D1 | AIKW50N60CT

 

 
Back to Top

 


 
.