NGB18N40A - аналоги и описание IGBT

 

NGB18N40A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NGB18N40A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4500 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для NGB18N40A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGB18N40A даташит

 ..1. Size:125K  onsemi
 ngb18n40a.pdf pdf_icon

NGB18N40A

NGB18N40CLB, NGB18N40ACLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK http //onsemi.com This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 18 AMPS, 400 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.0 V @ include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever hi

 6.1. Size:87K  1
 ngb18n40clb.pdf pdf_icon

NGB18N40A

NGB18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high current swit

Другие IGBT... IRG7PH35U-EP , APT15GT60BRDQ1G , APT15GT60BRG , RJH1CF4RDPQ-80 , APT11GF120BRDQ1G , APT11GF120KRG , NGB8245 , STGP19NC60H , AOK40B65H2AL , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.