AOD5B60D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: AOD5B60D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.4 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD5B60D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
AOD5B60D даташит
aod5b60d.pdf
AOD5B60D TM 600V, 5A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 5A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.55V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to o
aod5b65mq1e.pdf
AOD5B65MQ1E TM 650V, 5A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 5A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 2.15V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses
aod5b65m1e.pdf
AOD5B65M1E TM 650V, 5A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Very fast and soft recovery freewheeling diode 650V High efficient turn-on di/dt controllability IC (TC=100 C) 5A Low VCE(sat) for low conduction losses VCE(sat) (TJ=25 C) 2.15V Soft switching performance and low EMI High electrostatic perfor
Другие IGBT... IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , XNF15N60T , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF .
History: IXYN100N65B3D1
History: IXYN100N65B3D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234






