AOTF15B60D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: AOTF15B60D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 97 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AOTF15B60D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
AOTF15B60D даташит
aotf15b60d.pdf
AOTF15B60D TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.6V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance t
aotf15b60d2.pdf
AOTF15B60D2 TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25 C) 1.53V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance
aotf15b65m1.pdf
AOTF15B65M1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien
aotf15b65m3.pdf
AOTF15B65M3 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.95V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci
Другие IGBT... IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , IRG4PF50W , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF .
History: APT36GA60BD15 | APT200GN60B2G
History: APT36GA60BD15 | APT200GN60B2G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014






