IRG7IC30FD - аналоги и описание IGBT

 

IRG7IC30FD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG7IC30FD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRG7IC30FD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7IC30FD даташит

 ..1. Size:298K  international rectifier
 irg7ic30fd.pdf pdf_icon

IRG7IC30FD

IRG7IC30FDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE(on) VCES = 600V Zero VCE(on) temperature coefficient 3 s Short Circuit Capability INOM = 24A Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.60V Benefits G Benchmark Efficiency for Motor Control Applications E tSC 3 s, TJ(max) = 150 C Rugged Transient Performance

 8.1. Size:282K  international rectifier
 irg7ic28u.pdf pdf_icon

IRG7IC30FD

PD - 97562 IRG7IC28UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 600 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 40A 1.70 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 225 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l

 9.1. Size:287K  international rectifier
 irg7ia19u.pdf pdf_icon

IRG7IC30FD

PD-96356 PDP TRENCH IGBT IRG7IA19UPbF Features Key Parameters VCE min 360 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 30A 1.49 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 170 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea

 9.2. Size:203K  international rectifier
 irg7i313u.pdf pdf_icon

IRG7IC30FD

PD - 97411 IRG7I313UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , GT30J122 , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.