Справочник IGBT. IRG7IC30FD

 

IRG7IC30FD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG7IC30FD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7IC30FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  international rectifier
irg7ic30fd.pdfpdf_icon

IRG7IC30FD

IRG7IC30FDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE(on)VCES = 600V Zero VCE(on) temperature coefficient 3s Short Circuit CapabilityINOM = 24A Square RBSOAVCE(on) typ. = 1.60VBenefits G Benchmark Efficiency for Motor ControlApplicationsE tSC 3s, TJ(max) = 150C Rugged Transient Performance

 8.1. Size:282K  international rectifier
irg7ic28u.pdfpdf_icon

IRG7IC30FD

PD - 97562IRG7IC28UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min600 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 40A1.70 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 225 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl

 9.1. Size:287K  international rectifier
irg7ia19u.pdfpdf_icon

IRG7IC30FD

PD-96356PDP TRENCH IGBTIRG7IA19UPbFFeaturesKey ParametersVCE min360 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 30A1.49 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C170 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lea

 9.2. Size:203K  international rectifier
irg7i313u.pdfpdf_icon

IRG7IC30FD

PD - 97411IRG7I313UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 20A1.35 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L

Другие IGBT... AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRGP4062D , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I .

History: FPF2C8P2NL07A | SKM300GAR123D | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | SG12N06DP | BUK856-400IZ | IRGP4068DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.