IRG7RC07SD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG7RC07SD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG7RC07SD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7RC07SD даташит

 ..1. Size:300K  international rectifier
 irg7rc07sd.pdf pdf_icon

IRG7RC07SD

PD - 96425 IRG7RC07SDPbF Optimized for line frequency, 50/60Hz switching frequency Features C Standard speed IGBT for switching frequency less than 1KHz VCES = 600V Very low VCE (ON) Ultra fast soft recovery diode IC = 8.5A, TC = 100 C G VCE(on) typ. =1.2V@IC = 3A Benefits E High efficiency for line frequency applications n-channel Higher reliability from r

 8.1. Size:342K  international rectifier
 irg7rc10fd.pdf pdf_icon

IRG7RC07SD

PD - 97759 IRG7RC10FDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IC = 9.0A, TC = 100 C Features Low VCE(on) tsc > 3 s, Tjmax = 150 C G Zero VCE(on) temperature coefficient 3 s Short Circuit Capability VCE(on) typ. = 1.6V E Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode @ IC = 5A Square RBSOA n-channel Benefits Ben

 9.1. Size:237K  international rectifier
 irg7r313u.pdf pdf_icon

IRG7RC07SD

PD - 97484 IRG7R313UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lead

Другие IGBT... IRG4BC20FD-S, TGD30N40P, AOD5B60D, AOTF15B60D, AOTF10B60D, IRG7IC30FD, RJP60V0DPM, NTE3301, KGF75N65KDF, CPV363M4UPBF, CPV363M4KPBF, AP20GT60ASI-HF, AOTF5B60D, AP20GT60I, AP28G40GEM-HF, T0510VB45E, T0850VB25E