IRG7RC07SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG7RC07SD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF
Тип корпуса: TO252
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRG7RC07SD Datasheet (PDF)
irg7rc07sd.pdf

PD - 96425IRG7RC07SDPbFOptimized for line frequency, 50/60Hz switching frequencyFeaturesC Standard speed IGBT for switchingfrequency less than 1KHzVCES = 600V Very low VCE (ON) Ultra fast soft recovery diodeIC = 8.5A, TC = 100CGVCE(on) typ. =1.2V@IC = 3ABenefitsE High efficiency for line frequency applicationsn-channel Higher reliability from r
irg7rc10fd.pdf

PD - 97759IRG7RC10FDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEIC = 9.0A, TC = 100CFeatures Low VCE(on)tsc > 3s, Tjmax = 150CG Zero VCE(on) temperature coefficient 3s Short Circuit CapabilityVCE(on) typ. = 1.6VE Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode@ IC = 5A Square RBSOAn-channelBenefits Ben
irg7r313u.pdf

PD - 97484IRG7R313UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lead
Другие IGBT... IRG4BC20FD-S , TGD30N40P , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IHW20N120R2 , CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E .
History: IQIB100N60D3 | IXGH30N60B | SKM195GAR063DN | NGTB50N120FL2WG | BSM30GD60DLC_E3224 | IRG7PH35UD1M | IRG4BC30UD
History: IQIB100N60D3 | IXGH30N60B | SKM195GAR063DN | NGTB50N120FL2WG | BSM30GD60DLC_E3224 | IRG7PH35UD1M | IRG4BC30UD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015