T0800EB45G - аналоги и описание IGBT

 

T0800EB45G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0800EB45G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0800EB45G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0800EB45G даташит

 ..1. Size:382K  ixys
 t0800eb45g.pdf pdf_icon

T0800EB45G

Date - 3 March, 2012 Data Sheet Issue - 1 WESTCODE An IXYS Company Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800EB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) D

 9.1. Size:513K  ixys
 t0800tb45e.pdf pdf_icon

T0800EB45G

Date - 14 July, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800TB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , MBQ60T65PES , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.