Справочник IGBT. T0800EB45G

 

T0800EB45G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0800EB45G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.2(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3300 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0800EB45G

 

 

T0800EB45G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  ixys
 t0800eb45g.pdf

T0800EB45G T0800EB45G

Date:- 3 March, 2012 Data Sheet Issue: - 1 WESTCODEAn IXYS Company Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800EB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) D

 9.1. Size:513K  ixys
 t0800tb45e.pdf

T0800EB45G T0800EB45G

Date:- 14 July, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0800TB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top