T1200EB45E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: T1200EB45E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.3(typ) V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3000 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 12000 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для T1200EB45E
T1200EB45E Datasheet (PDF)
t1200eb45e.pdf

Date:- 19 Oct, 2009 Data Sheet Issue:- 1 Provisional Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1200EB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) Continuous DC
ixa20pt1200lb.pdf

IXA20PT1200LBtentativeVCES = 2x 1200VXPT IGBTI= 28 AC25VCE(sat) = 1.8VISOPLUSSurface Mount Power DevicePhase leg SCR / IGBTPart numberIXA20PT1200LBBackside: isolated9E32664113276458Features / Advantages: Applications: Package: SMPD XPT IGBT Phaseleg Isolation Voltage: V~3000 - low saturation voltage - buck-boost chopper Indus
t1200tb25a.pdf

Date:- 12 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1200TB25A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS
Другие IGBT... T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , FGPF4536 , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS .
History: IHW30N160R5 | IXGH36N60B3C1 | IXGH30N60C2D1 | FGB3040G2-F085C
History: IHW30N160R5 | IXGH36N60B3C1 | IXGH30N60C2D1 | FGB3040G2-F085C



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494