AP28G40GEO Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AP28G40GEO
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 800 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF
Тип корпуса: TSSOP8
- подбор IGBT транзистора по параметрам
AP28G40GEO Datasheet (PDF)
ap28g40geo.pdf

AP28G40GEORoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VC High Peak Current Capability ICP 150ACCC Low Gate Drive Strobe Flash Applications CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E
ap28g40gem-hf.pdf

AP28G40GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VCC High Peak Current Capability C ICP 150AC Low Gate DriveG Strobe Flash Applications CEEGE RoHS Compliant & Halogen-Free SO-8EAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter V
ap28g45gem.pdf

AP28G45GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORHigh Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 130A CC 3.3V Gate DriveCCStrobe Flash Applications C GGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating
ap28g45geo-hf.pdf

AP28G45GEO-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V High Peak Current Capability E ICP 150AEEG Low Gate Drive Strobe Flash Applications CCCCTSSOP-8GCEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPeak Gate-
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: 2SH29 | GT50L101 | IXGH48N60A3 | FF150R12YT3 | JNG25T120AI | RGT8BM65D | APT15GT60BRG
History: 2SH29 | GT50L101 | IXGH48N60A3 | FF150R12YT3 | JNG25T120AI | RGT8BM65D | APT15GT60BRG



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468