AP28G40GEO - аналоги и описание IGBT

 

AP28G40GEO - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AP28G40GEO

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 800 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF

Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для AP28G40GEO

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP28G40GEO даташит

 ..1. Size:94K  ape
ap28g40geo.pdfpdf_icon

AP28G40GEO

AP28G40GEO RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V C High Peak Current Capability ICP 150A C C C Low Gate Drive Strobe Flash Applications C G E E TSSOP-8 G E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 400 V VGEP Peak Gate-E

 5.1. Size:56K  ape
ap28g40gem-hf.pdfpdf_icon

AP28G40GEO

AP28G40GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V C C High Peak Current Capability C ICP 150A C Low Gate Drive G Strobe Flash Applications C E E G E RoHS Compliant & Halogen-Free SO-8 E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter V

 8.1. Size:70K  ape
ap28g45gem.pdfpdf_icon

AP28G40GEO

AP28G45GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 130A C C 3.3V Gate Drive C C Strobe Flash Applications C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

 8.2. Size:93K  ape
ap28g45geo-hf.pdfpdf_icon

AP28G40GEO

AP28G45GEO-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V High Peak Current Capability E ICP 150A E E G Low Gate Drive Strobe Flash Applications C C C C TSSOP-8 G C E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 400 V VGE Peak Gate-

Другие IGBT... T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , SGT50T65FD1PT , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 , NTE3302 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.