Справочник IGBT. HGT1Y40N60A4D

 

HGT1Y40N60A4D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGT1Y40N60A4D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 40N60A4D
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для HGT1Y40N60A4D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1Y40N60A4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  1
 hgt5a40n60a4d hgt1y40n60a4d.pdf pdf_icon

HGT1Y40N60A4D

HGT5A40N60A4D / HGT1Y40N60A4DData Sheet May 2002600V, SMPS Series N-Channel IGBT with FeaturesAnti-Parallel Hyperfast Diode 100kHz Operation at 390V, 40AThe HGT5A40N60A4D and HGT1Y40N60A4D are MOS 200kHz Operation at 390V, 20Agated high voltage switching devices combining the best 600V Switching SOA Capabilityfeatures of a MOSFET and a bipolar transistor. These de

Другие IGBT... HGT1S7N60B3 , HGT1S7N60B3D , HGT1S7N60B3DS , HGT1S7N60B3S , HGT1S7N60C3D , HGT1S7N60C3DS , HGT1S7N60C3DS9A , HGT5A40N60A4D , GT30G124 , HGT5A40N60A4 , HGTD10N40F1 , HGTD10N40F1S , HGTD10N40F1S9A , HGTD10N50F1 , HGTD10N50F1S , HGTD10N50F1S9A , HGTD1N120BNS .

 

 
Back to Top

 


 
.