RJP4301APP-M0 - аналоги и описание IGBT

 

RJP4301APP-M0 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJP4301APP-M0

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 33 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF

Тип корпуса: TO220FL

 Аналог (замена) для RJP4301APP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP4301APP-M0 даташит

 ..1. Size:56K  renesas
 rjp4301app-m0.pdf pdf_icon

RJP4301APP-M0

Preliminary Datasheet RJP4301APP-M0 R07DS0749EJ0100 Rev.1.00 Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012 Features VCES 430 V TO-220FL package High Speed Switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A) (Package name TO-220FL) 2 1 Gate 2 Collector 1 3 Emitter 1 2 3 3 Applications Strobe flash Maximum Ratings (Tc = 25 C) Parameter Symbo

 3.1. Size:198K  renesas
 rjp4301app-00.pdf pdf_icon

RJP4301APP-M0

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , BT40T60ANF , NTE3302 , RJH60A83RDPP-M0 , RJH60D1DPP-E0 , RJH60V1BDPP-M0 , SGTN50A36FD , STGF10H60DF , STGF15H60DF , NGTB30N120L2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.