RJH60A83RDPP-M0 - аналоги и описание IGBT

 

RJH60A83RDPP-M0 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH60A83RDPP-M0

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 19 pF

Тип корпуса: TO220FL

 Аналог (замена) для RJH60A83RDPP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60A83RDPP-M0 даташит

 0.1. Size:119K  renesas
 rjh60a83rdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60A83RDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60A83RDPP-M0 R07DS0808EJ0200 600V - 10A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 130

 3.1. Size:110K  renesas
 rjh60a83rdpe.pdf pdf_icon

RJH60A83RDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60A83RDPE R07DS0806EJ0200 600V - 10A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 130 ns

 7.1. Size:111K  renesas
 rjh60a85rdpe.pdf pdf_icon

RJH60A83RDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60A85RDPE R07DS0809EJ0200 600V - 15A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 160 ns

 7.2. Size:120K  renesas
 rjh60a85rdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60A83RDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60A85RDPP-M0 R07DS0811EJ0200 600V - 15A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Jul 12, 2012 Features Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 160

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 , NTE3302 , SGT50T65FD1PN , RJH60D1DPP-E0 , RJH60V1BDPP-M0 , SGTN50A36FD , STGF10H60DF , STGF15H60DF , NGTB30N120L2 , NGTB30N120L2WG , NGTB40N120FL2 .

History: STGF7H60DF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.