RJH60V1BDPP-M0 - аналоги и описание IGBT

 

RJH60V1BDPP-M0 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH60V1BDPP-M0

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 27 pF

Тип корпуса: TO220FL

 Аналог (замена) для RJH60V1BDPP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60V1BDPP-M0 даташит

 ..1. Size:110K  renesas
 rjh60v1bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V1BDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60V1BDPP-M0 R07DS0759EJ0100 600V - 8A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2011 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techn

 4.1. Size:106K  renesas
 rjh60v1bdpe.pdf pdf_icon

RJH60V1BDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60V1BDPE R07DS0743EJ0200 600 V - 8 A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter May 25, 2011 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 8.1. Size:100K  renesas
 rjh60v2bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V1BDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60V2BDPP-M0 R07DS0760EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 8.2. Size:101K  renesas
 rjh60v3bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V1BDPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60V3BDPP-M0 R07DS0761EJ0100 600V - 17A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 , NTE3302 , RJH60A83RDPP-M0 , RJH60D1DPP-E0 , IHW20N120R3 , SGTN50A36FD , STGF10H60DF , STGF15H60DF , NGTB30N120L2 , NGTB30N120L2WG , NGTB40N120FL2 , NGTB40N120FL2WG , NGTB40N120S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.