STGF10H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGF10H60DF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GF10H60DF
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 57 nC
Тип корпуса: TO220F
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGF10H60DF Datasheet (PDF)
stgf10h60df.pdf

STGB10H60DF, STGF10H60DF, STGP10H60DFTrench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution31 Safe parallelingDPAK Low thermal resistanceTAB Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications332211 Motor cont
stgf10nc60sd.pdf

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
stgf10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60