TIG056BF-1E - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: TIG056BF-1E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 33 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для TIG056BF-1E
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
TIG056BF-1E даташит
tig056bf-1e tig056bf.pdf
Ordering number ENA1775B TIG056BF N-Channel IGBT http //onsemi.com 430V, 240A, VCE(sat); 3.6V TO-220F-3FS Features Low-saturation voltage Protection diode in Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector to Emitter Voltage VCES 430 V Gate to Emitter Voltage VGES
tig056bf.pdf
TIG056BF Ordering number ENA1775A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG056BF High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-to-Emitter Volta
tig052ts.pdf
Ordering number ENA1258 TIG052TS SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG052TS Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.* Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=2
tig052gs.pdf
Ordering number ENA1258 TIG052TS SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG052TS Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.* Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=2
Другие IGBT... NGTB40N60L2WG , NGTB50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 , NGTB50N65FL2WG , IRG8P60N120KD , SGP30N60 , STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581






