Справочник IGBT. TIG056BF-1E

 

TIG056BF-1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TIG056BF-1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 33 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TIG056BF-1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 tig056bf-1e tig056bf.pdf pdf_icon

TIG056BF-1E

Ordering number : ENA1775BTIG056BFN-Channel IGBThttp://onsemi.com430V, 240A, VCE(sat); 3.6V TO-220F-3FSFeatures Low-saturation voltage Protection diode in Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector to Emitter Voltage VCES 430 VGate to Emitter Voltage VGES

 6.1. Size:324K  sanyo
 tig056bf.pdf pdf_icon

TIG056BF-1E

TIG056BF Ordering number : ENA1775ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG056BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter Voltage VCES 400 VGate-to-Emitter Volta

 9.1. Size:61K  1
 tig052ts.pdf pdf_icon

TIG056BF-1E

Ordering number : ENA1258 TIG052TSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG052TSLight-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.*SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=2

 9.2. Size:61K  sanyo
 tig052gs.pdf pdf_icon

TIG056BF-1E

Ordering number : ENA1258 TIG052TSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG052TSLight-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.*SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTB40N60L2WG , NGTB50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 , NGTB50N65FL2WG , IRG8P60N120KD , IKW30N60H3 , STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 .

History: HGTD2N120CNS | IRG4BC30F | 2SH12 | IXSN35N120AU1 | IXBF20N300 | IRGS4615D | MSG15T120FPE

 

 
Back to Top

 


 
.