Справочник IGBT. RJP5001APP-M0

 

RJP5001APP-M0 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP5001APP-M0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 17 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 430 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO220FL

 Аналог (замена) для RJP5001APP-M0

 

 

RJP5001APP-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  renesas
 rjp5001app-m0.pdf

RJP5001APP-M0 RJP5001APP-M0

Preliminary Datasheet RJP5001APP-M0 R07DS0750EJ0100Rev.1.00Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012Features VCES : 500 V TO-220FL package High Speed Switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A)(Package name: TO-220FL)21 : Gate2 : Collector13 : Emitter1233Applications Strobe flash Maximum Ratings (Tc = 25C) Parameter Symbo

 3.1. Size:93K  renesas
 rjp5001app-00.pdf

RJP5001APP-M0 RJP5001APP-M0

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , IRGR2B60KD , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , FGH75T65UPD , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM , RJQ6015DPM , RJH60A83RDPE , RJH60V1BDPE , STGFW20V60DF .

 

 
Back to Top