Справочник IGBT. RJP5001APP-00

 

RJP5001APP-00 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP5001APP-00
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 17 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 500 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJP5001APP-00 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  renesas
rjp5001app-00.pdfpdf_icon

RJP5001APP-00

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 3.1. Size:56K  renesas
rjp5001app-m0.pdfpdf_icon

RJP5001APP-00

Preliminary Datasheet RJP5001APP-M0 R07DS0750EJ0100Rev.1.00Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012Features VCES : 500 V TO-220FL package High Speed Switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A)(Package name: TO-220FL)21 : Gate2 : Collector13 : Emitter1233Applications Strobe flash Maximum Ratings (Tc = 25C) Parameter Symbo

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.