RJP5001APP-00 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RJP5001APP-00
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 17 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 500 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для RJP5001APP-00
RJP5001APP-00 Datasheet (PDF)
rjp5001app-00.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
rjp5001app-m0.pdf
Preliminary Datasheet RJP5001APP-M0 R07DS0750EJ0100Rev.1.00Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012Features VCES : 500 V TO-220FL package High Speed Switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A)(Package name: TO-220FL)21 : Gate2 : Collector13 : Emitter1233Applications Strobe flash Maximum Ratings (Tc = 25C) Parameter Symbo
Другие IGBT... RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , IRGR2B60KD , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , MBQ50T65FESC , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM , RJQ6015DPM , RJH60A83RDPE , RJH60V1BDPE , STGFW20V60DF , IRGB4059DPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2