Справочник IGBT. STGFW20V60DF

 

STGFW20V60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGFW20V60DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGFW20V60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  st
stgfw20v60df.pdfpdf_icon

STGFW20V60DF

STGFW20V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching series Tail-less switching off VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A111 Tight parameters distribution3 Safe paralleling2 Low thermal resistance1 Very fast so

 4.1. Size:1613K  st
stgfw20v60f.pdfpdf_icon

STGFW20V60DF

STGFW20V60F, STGW20V60F, STGWT20V60F600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Very high speed switching series3 Tail-less switching off2 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) 1TO-3PF@ IC = 20 ATAB Tight parameters distribution Safe par

 7.1. Size:1497K  st
stgfw20h65fb.pdfpdf_icon

STGFW20V60DF

STGFW20H65FB, STGW20H65FB, STGWT20H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedDatasheet - production dataTABFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current21 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 ATO-3P Tight parameters distribution111 Safe paralleling3 Low th

 9.1. Size:431K  st
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdfpdf_icon

STGFW20V60DF

STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C323 12 High speed switching series1TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling321 Tight parameter distributio

Другие IGBT... RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM , RJQ6015DPM , RJH60A83RDPE , RJH60V1BDPE , GT30J122 , IRGB4059DPBF , IRGB4607D , IRGR4607D , IRGS4607D , STGFW20H65FB , STGFW30H65FB , STGFW30V60DF , STGFW30V60F .

History: CM100TU-24F | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5

 

 
Back to Top

 


 
.