RJH60V2BDPE - аналоги и описание IGBT

 

RJH60V2BDPE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH60V2BDPE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RJH60V2BDPE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60V2BDPE даташит

 ..1. Size:95K  renesas
 rjh60v2bdpe.pdf pdf_icon

RJH60V2BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V2BDPE R07DS0744EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Apr 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 4.1. Size:100K  renesas
 rjh60v2bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V2BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V2BDPP-M0 R07DS0760EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 8.1. Size:101K  renesas
 rjh60v3bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V2BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V3BDPP-M0 R07DS0761EJ0100 600V - 17A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 8.2. Size:96K  renesas
 rjh60v3bdpe.pdf pdf_icon

RJH60V2BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V3BDPE R07DS0745EJ0200 600V - 17A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGFW20H65FB , STGFW30H65FB , STGFW30V60DF , STGFW30V60F , STGFW40H65FB , STGD6NC60H-1 , STGFW40V60F , STGFW40V60DF , BT60T60ANFK , IKP08N65F5 , IKP08N65H5 , IKD04N60RA , IRG4MC30F , IRGB4610D , IRGR4045D , IRGR4610D , IRGS4045D .

History: STGFW30V60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.