RJH60V3BDPE - аналоги и описание IGBT

 

RJH60V3BDPE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH60V3BDPE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RJH60V3BDPE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60V3BDPE даташит

 ..1. Size:96K  renesas
 rjh60v3bdpe.pdf pdf_icon

RJH60V3BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V3BDPE R07DS0745EJ0200 600V - 17A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 4.1. Size:101K  renesas
 rjh60v3bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V3BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V3BDPP-M0 R07DS0761EJ0100 600V - 17A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 8.1. Size:100K  renesas
 rjh60v2bdpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60V3BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V2BDPP-M0 R07DS0760EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter May 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 8.2. Size:95K  renesas
 rjh60v2bdpe.pdf pdf_icon

RJH60V3BDPE

Preliminary Datasheet RJH60V2BDPE R07DS0744EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Apr 25, 2012 Features Short circuit withstand time (6 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 , IKP15N65H5 , MMG15H120XB6TN , STGD3NC120H , RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJP30H1DPD , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G , STGB10H60DF , STGB15H60DF , STGP10H60DF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.