HGTD2N120BNS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTD2N120BNS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGTD2N120BNS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD2N120BNS даташит

 ..1. Size:85K  1
 hgtp2n120bn hgtd2n120bns hgt1s120bns.pdf pdf_icon

HGTD2N120BNS

HGTP2N120BN, HGTD2N120BNS, HGT1S2N120BNS Data Sheet January 2000 File Number 4696.2 12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT Features The HGTP2N120BN, HGTD2N120BNS, and 12A, 1200V, TC = 25oC HGT1S2N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT 1200V Switching SOA Capability designs. They are new members of the MOS gated high Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 160ns at

 5.1. Size:89K  1
 hgtd2n120cns hgtp2n120cn hgt1s2n120cns.pdf pdf_icon

HGTD2N120BNS

HGTD2N120CNS, HGTP2N120CN, HGT1S2N120CNS Data Sheet January 2000 File Number 4680.2 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT Features The HGTD2N120CNS, HGTP2N120CN, and 13A, 1200V, TC = 25oC HGT1S2N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT 1200V Switching SOA Capability designs. They are new members of the MOS gated high Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 360ns at

Другие IGBT... HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S, HGTD10N40F1S9A, HGTD10N50F1, HGTD10N50F1S, HGTD10N50F1S9A, HGTD1N120BNS, HGTD1N120CNS, MBQ50T65FDSC, HGTD2N120CNS, HGTD3N60A4S, HGTD3N60B3, HGTD3N60B3S, HGTD3N60C3, HGTD3N60C3S, HGT5A27N120BN, HGTD6N40E1