Справочник IGBT. HGTD2N120CNS

 

HGTD2N120CNS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD2N120CNS
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 2N120C
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.7(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 30 nC
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HGTD2N120CNS

 

 

HGTD2N120CNS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  1
 hgtd2n120cns hgtp2n120cn hgt1s2n120cns.pdf

HGTD2N120CNS HGTD2N120CNS

HGTD2N120CNS, HGTP2N120CN,HGT1S2N120CNSData Sheet January 2000 File Number 4680.213A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTD2N120CNS, HGTP2N120CN, and 13A, 1200V, TC = 25oCHGT1S2N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT 1200V Switching SOA Capabilitydesigns. They are new members of the MOS gated high Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 360ns at

 5.1. Size:85K  1
 hgtp2n120bn hgtd2n120bns hgt1s120bns.pdf

HGTD2N120CNS HGTD2N120CNS

HGTP2N120BN, HGTD2N120BNS,HGT1S2N120BNSData Sheet January 2000 File Number 4696.212A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTP2N120BN, HGTD2N120BNS, and 12A, 1200V, TC = 25oCHGT1S2N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT 1200V Switching SOA Capabilitydesigns. They are new members of the MOS gated high Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 160ns at

Другие IGBT... HGTD10N40F1S , HGTD10N40F1S9A , HGTD10N50F1 , HGTD10N50F1S , HGTD10N50F1S9A , HGTD1N120BNS , HGTD1N120CNS , HGTD2N120BNS , FGPF4633 , HGTD3N60A4S , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , HGTD6N40E1 , HGTD6N40E1S .

 

 
Back to Top