HGTD3N60B3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTD3N60B3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.3 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGTD3N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD3N60B3 даташит

 ..1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGTD3N60B3

 6.1. Size:265K  1
 hgtd3n60c3s hgtp3n60c3.pdf pdf_icon

HGTD3N60B3

HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 Data Sheet December 2001 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Features The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated 6A, 600V at TC = 25oC high voltage switching devices combining the best features 600V Switching SOA Capability of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 1

 6.2. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGTD3N60B3

 6.3. Size:237K  1
 hgtd3n60c3 hgtd3n60c3s.pdf pdf_icon

HGTD3N60B3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTD10N50F1, HGTD10N50F1S, HGTD10N50F1S9A, HGTD1N120BNS, HGTD1N120CNS, HGTD2N120BNS, HGTD2N120CNS, HGTD3N60A4S, SGT40N60FD2PN, HGTD3N60B3S, HGTD3N60C3, HGTD3N60C3S, HGT5A27N120BN, HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S