IRG4MC50F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4MC50F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 290 nC
Тип корпуса: TO254AA
IRG4MC50F Datasheet (PDF)
irg4mc50f.pdf
PD -94274AIRG4MC50FFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Electrically Isolated and Hermetically SealedVCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed operation 3 kHz - 8 kHzVCE(on) max = 2.0VG High operating frequency Switching-loss rating includes all "tail" losses@VGE = 15V, IC = 30AE Ceramic eyeletsn-cha
irg4mc50u.pdf
PD -94273AIRG4MC50U UltraFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Electrically Isolated and Hermetically SealedVCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed operation 3 kHz - 8 kHzVCE(on) max = 2.25VG High operating frequency Switching-loss rating includes all "tail" losses@VGE = 15V, IC = 27AE Ceramic eyelets
irg4mc30f.pdf
PD-94313DIRG4MC30FFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Electrically Isolated and Hermetically SealedVCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed Operation 3 kHz - 8 kHzVCE(on) max =1.7VG High Operating Frequency Switching-loss Rating includes all "tail" lossesE @VGE = 15V, IC = 15A Ceramic Eyeletsn-channe
irg4mc40u.pdf
PD-94305FIRG4MC40U UltraFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeaturesC Electrically Isolated and Hermetically SealedVCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proofVCE(on)max = 2.1V UltraFast Speed Operation 8KHz - 40KHz,G> 200KHz in Resonent Mode High Operating Frequency@VGE =15V, IC = 20AE Switching-loss Rating includes all "tail
Другие IGBT... MMG25H120X6TN , MMG25H120XB6TN , KGT15N135KDH , KGT15N135NDH , STGB30H60DF , STGP30H60DF , IKD10N60RA , IHW20N65R5 , TGD30N40P , SGTN15C120HW , STGB18N40LZT4 , STGP30H65F , KGF20N60KDA , KGF20N60PA , NGTB15N120IHL , NGTB15N120FL , NGTB15N120FLWG .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2