STGB18N40LZT4 - аналоги и описание IGBT

 

STGB18N40LZT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGB18N40LZT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 390 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STGB18N40LZT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB18N40LZT4 даташит

 ..1. Size:887K  st
stgb18n40lzt4 stgd18n40lz stgp18n40lz.pdfpdf_icon

STGB18N40LZT4

STGB18N40LZT4, STGD18N40LZ, STGP18N40LZ Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ Datasheet - production data Features TAB TAB Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 3 1 2 1 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, DPAK L = 3 mH IPAK ESD gate-emitter protection TAB Gate-collector high voltage clamping TAB

 ..2. Size:888K  st
stgb18n40lzt4.pdfpdf_icon

STGB18N40LZT4

STGB18N40LZT4, STGD18N40LZ, STGP18N40LZ Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ Datasheet - production data Features TAB TAB Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 3 1 2 1 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, DPAK L = 3 mH IPAK ESD gate-emitter protection TAB Gate-collector high voltage clamping TAB

 3.1. Size:888K  st
stgb18n40lz.pdfpdf_icon

STGB18N40LZT4

STGB18N40LZ STGD18N40LZ, STGP18N40LZ EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT Features AEC Q101 compliant 3 3 2 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, 1 1 L = 3 mH DPAK IPAK ESD gate-emitter protection Gate-collector high voltage clamping 3 Logic level gate drive 2 1 Low saturation voltage TO-220 3 1 High pulsed current capability 3

 3.2. Size:890K  st
stgb18n40lz stgd18n40lz stgp18n40lz.pdfpdf_icon

STGB18N40LZT4

STGB18N40LZ STGD18N40LZ, STGP18N40LZ EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT Features AEC Q101 compliant 3 3 2 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, 1 1 L = 3 mH DPAK IPAK ESD gate-emitter protection Gate-collector high voltage clamping 3 Logic level gate drive 2 1 Low saturation voltage TO-220 3 1 High pulsed current capability 3

Другие IGBT... KGT15N135KDH , KGT15N135NDH , STGB30H60DF , STGP30H60DF , IKD10N60RA , IHW20N65R5 , IRG4MC50F , SGTN15C120HW , IRGP4066D , STGP30H65F , KGF20N60KDA , KGF20N60PA , NGTB15N120IHL , NGTB15N120FL , NGTB15N120FLWG , NGTB15N120L , NGTB15N120LWG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.