Справочник IGBT. STGP30H65F

 

STGP30H65F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP30H65F
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GP30H65F
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 105 nC
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для STGP30H65F

 

 

STGP30H65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1046K  st
stgp30h65f.pdf

STGP30H65F
STGP30H65F

STGP30H65FTrench gate field-stop IGBT, H series 650 V, 30 A high speedDatasheet - production dataFeatures High speed switching Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated321ApplicationsTO-220 Inverter UPS PFCDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis device is an IGBT deve

 6.1. Size:612K  st
stgp30h60df.pdf

STGP30H65F
STGP30H65F

STGB30H60DF STGP30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - preliminary dataFeatures High speed switching Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance 6 s short-circuit withstand time 3 3211 Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTO-220Applications DPAK Motor controlDescriptionFig

 6.2. Size:1944K  st
stgb30h60df stgf30h60df stgp30h60df stgw30h60df.pdf

STGP30H65F
STGP30H65F

STGB30H60DF, STGF30H60DF,STGP30H60DF, STGW30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution313 Safe paralleling21DPAK Low thermal resistanceTO-220FP Short circuit ratedTAB Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications3 3 I

 6.3. Size:798K  st
stgb30h60dfb stgp30h60dfb.pdf

STGP30H65F
STGP30H65F

STGB30H60DFB, STGP30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTABTAB High speed switching series Minimized tail current3 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A132D PAK TO-220 2 Tight parameter distribution1 Safe paralleling Positive V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top