STGP30H65F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGP30H65F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для STGP30H65F
STGP30H65F Datasheet (PDF)
stgp30h65f.pdf

STGP30H65FTrench gate field-stop IGBT, H series 650 V, 30 A high speedDatasheet - production dataFeatures High speed switching Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated321ApplicationsTO-220 Inverter UPS PFCDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis device is an IGBT deve
stgp30h60df.pdf

STGB30H60DF STGP30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - preliminary dataFeatures High speed switching Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance 6 s short-circuit withstand time 3 3211 Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTO-220Applications DPAK Motor controlDescriptionFig
stgb30h60df stgf30h60df stgp30h60df stgw30h60df.pdf

STGB30H60DF, STGF30H60DF,STGP30H60DF, STGW30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution313 Safe paralleling21DPAK Low thermal resistanceTO-220FP Short circuit ratedTAB Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications3 3 I
stgb30h60dfb stgp30h60dfb.pdf

STGB30H60DFB, STGP30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTABTAB High speed switching series Minimized tail current3 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A132D PAK TO-220 2 Tight parameter distribution1 Safe paralleling Positive V
Другие IGBT... KGT15N135NDH , STGB30H60DF , STGP30H60DF , IKD10N60RA , IHW20N65R5 , IRG4MC50F , SGTN15C120HW , STGB18N40LZT4 , IKW50N60H3 , KGF20N60KDA , KGF20N60PA , NGTB15N120IHL , NGTB15N120FL , NGTB15N120FLWG , NGTB15N120L , NGTB15N120LWG , NGTB20N120IHS .
History: MG100Q2YS50
History: MG100Q2YS50



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor