HGTD3N60C3S аналоги, datasheet, параметры транзистора

HGTD3N60C3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTD3N60C3S 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для HGTD3N60C3S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

HGTD3N60C3S даташит

..1. Size:265K 1
hgtd3n60c3s hgtp3n60c3.pdf pdf_icon

HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 Data Sheet December 2001 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Features The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated 6A, 600V at TC = 25oC high voltage switching devices combining the best features 600V Switching SOA Capability of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 1

..2. Size:237K 1
hgtd3n60c3 hgtd3n60c3s.pdf pdf_icon