Справочник IGBT. HGT5A27N120BN

 

HGT5A27N120BN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGT5A27N120BN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 72 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HGT5A27N120BN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT5A27N120BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  fairchild semi
 hgtg27n120bn hgt5a27n120bn.pdf pdf_icon

HGT5A27N120BN

HGTG27N120BN / HGT5A27N120BNData Sheet October 200472A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTG27N120BN and HGT5A27N120BN are Non- 72A, 1200V, TC = 25oCPunch Through (NPT) IGBT design. This is a new member 1200V Switching SOA Capabilityof the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 15

 9.1. Size:230K  1
 hgt5a40n60a4d hgt1y40n60a4d.pdf pdf_icon

HGT5A27N120BN

HGT5A40N60A4D / HGT1Y40N60A4DData Sheet May 2002600V, SMPS Series N-Channel IGBT with FeaturesAnti-Parallel Hyperfast Diode 100kHz Operation at 390V, 40AThe HGT5A40N60A4D and HGT1Y40N60A4D are MOS 200kHz Operation at 390V, 20Agated high voltage switching devices combining the best 600V Switching SOA Capabilityfeatures of a MOSFET and a bipolar transistor. These de

Другие IGBT... HGTD1N120CNS , HGTD2N120BNS , HGTD2N120CNS , HGTD3N60A4S , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , MBQ50T65FDSC , HGTD6N40E1 , HGTD6N40E1S , HGTD6N50E1 , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.