STGB20H60DF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGB20H60DF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STGB20H60DF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGB20H60DF даташит
stgb20h60df.pdf
STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB High speed switching Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 3 2 2 1 1 Low thermal resistance TO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diode TAB Applications 3 1 Motor contr
stgb20h65dfb2.pdf
STGB20H65DFB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a D PAK package Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A 2 3 Very fast and soft recovery co-packaged diode 1 Minimized tail current D PAK Tight parameter distribution Low thermal resistance C(2, TAB)
stgb20v60f.pdf
STGB20V60F, STGP20V60F 600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Very high speed switching series TAB TAB Tail-less switching off Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A 3 3 Tight parameters distribution 2 1 1 Safe paralleling D2PAK TO-
stgb20m65df2.pdf
STGB20M65DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT Features TAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution 2 3 Safer paralleling 1 Low thermal resistance D PAK Soft and very fast recovery antiparallel diode C(2, TAB) Applications Motor control UPS G(1)
Другие IGBT... IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , SGT40N60NPFDPN , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 , NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG .
History: IXBA16N170AHV
History: IXBA16N170AHV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771











