STGB20H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB20H60DF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STGB20H60DF
STGB20H60DF Datasheet (PDF)
stgb20h60df.pdf

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr
stgb20h65dfb2.pdf

STGB20H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a DPAK packageFeaturesTAB Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A23 Very fast and soft recovery co-packaged diode1 Minimized tail currentDPAK Tight parameter distribution Low thermal resistanceC(2, TAB)
stgb20v60f.pdf

STGB20V60F, STGP20V60F600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching seriesTABTAB Tail-less switching off Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A33 Tight parameters distribution211 Safe parallelingD2PAKTO-
stgb20m65df2.pdf

STGB20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeaturesTAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution23 Safer paralleling1 Low thermal resistanceDPAK Soft and very fast recovery antiparallel diodeC(2, TAB)Applications Motor control UPSG(1)
Другие IGBT... IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , RJP30H1DPD , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 , NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG .
History: FGW25N120W | MG75Q2YS40 | CM150DX-24S | CM200DY-24H | CM200DY-12H
History: FGW25N120W | MG75Q2YS40 | CM150DX-24S | CM200DY-24H | CM200DY-12H



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771