Справочник IGBT. STGB20H60DF

 

STGB20H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGB20H60DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGB20H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1853K  st
stgb20h60df.pdfpdf_icon

STGB20H60DF

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr

 6.1. Size:473K  st
stgb20h65dfb2.pdfpdf_icon

STGB20H60DF

STGB20H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a DPAK packageFeaturesTAB Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A23 Very fast and soft recovery co-packaged diode1 Minimized tail currentDPAK Tight parameter distribution Low thermal resistanceC(2, TAB)

 8.1. Size:1553K  st
stgb20v60f.pdfpdf_icon

STGB20H60DF

STGB20V60F, STGP20V60F600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching seriesTABTAB Tail-less switching off Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A33 Tight parameters distribution211 Safe parallelingD2PAKTO-

 8.2. Size:677K  st
stgb20m65df2.pdfpdf_icon

STGB20H60DF

STGB20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeaturesTAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution23 Safer paralleling1 Low thermal resistanceDPAK Soft and very fast recovery antiparallel diodeC(2, TAB)Applications Motor control UPSG(1)

Другие IGBT... IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , RJP30H1DPD , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 , NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG .

History: NCE75TS120VTP | AUIRG4BC30S-S | NGTB50N60SWG | FGW40N120H | 6MBP25VBA120-50 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM

 

 
Back to Top

 


 
.