Справочник IGBT. STGWT20H60DF

 

STGWT20H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT20H60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWT20H60DF
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 115 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для STGWT20H60DF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT20H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1293K  st
 stgwt20h60df.pdf pdf_icon

STGWT20H60DF

STGW20H60DF, STGWT20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures High speed switchingTAB Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated3 322 Ultrafast soft recovery antiparallel diode11TO-247TO-3PApplications Motor control UPS, PFCFigure

 ..2. Size:1293K  st
 stgw20h60df stgwt20h60df.pdf pdf_icon

STGWT20H60DF

STGW20H60DF, STGWT20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeatures High speed switchingTAB Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated3 322 Ultrafast soft recovery antiparallel diode11TO-247TO-3PApplications Motor control UPS, PFCFigure

 5.1. Size:1497K  st
 stgwt20h65fb.pdf pdf_icon

STGWT20H60DF

STGFW20H65FB, STGW20H65FB, STGWT20H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedDatasheet - production dataTABFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current21 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 ATO-3P Tight parameters distribution111 Safe paralleling3 Low th

 7.1. Size:2085K  st
 stgwt20v60df.pdf pdf_icon

STGWT20H60DF

STGB20V60DF, STGP20V60DF, STGW20V60DF, STGWT20V60DF600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Very high speed switching series332 Tail-less switching off11 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8 V (typ.) TO-220 DPAK@ IC = 20 ATAB Tight paramete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: NTE3310 | TT075U065FBC

 

 
Back to Top

 


 
.