STGWA30N120KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWA30N120KD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA30N120KD
STGWA30N120KD Datasheet (PDF)
stgwa30n120kd.pdf
STGW30N120KDSTGWA30N120KD30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diodeFeatures Low on-losses High current capability Low gate charge Short circuit withstand time 10 s IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling 3diode21ApplicationsTO-247 Motor controlDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis high voltage and short
stgwa30ih65df.pdf
STGWA30IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft commutation only Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-pa
stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATAB Tight parameter distribution Safe para
stgw30m65df2 stgwa30m65df2.pdf
STGW30M65DF2, STGWA30M65DF2 Trench gate field-stop IGBTs, M series 650 V, 30 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of minimum short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 30 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery
Другие IGBT... STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 , NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG , KGT25N135KDH , FGH60N60SFD , KGF40N60PA , NGTB50N60FLWG , NGTB50N60FWG , NGTG50N60FLWG , NGTG50N60FWG , KGF50N60KDA , IKW30N65EL5 , IKW30N65NL5 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2