NGTG50N60FWG - аналоги и описание IGBT

 

NGTG50N60FWG - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NGTG50N60FWG

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NGTG50N60FWG

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG50N60FWG даташит

 ..1. Size:174K  onsemi
 ngtg50n60fwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FWG

 4.1. Size:169K  onsemi
 ngtg50n60flwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FWG

NGTG50N60FLWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. http //onsemi.com Features Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System

Другие IGBT... NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG , KGT25N135KDH , STGWA30N120KD , KGF40N60PA , NGTB50N60FLWG , NGTB50N60FWG , NGTG50N60FLWG , IRGP4063D , KGF50N60KDA , IKW30N65EL5 , IKW30N65NL5 , IHW40N65R5 , IKW40N65WR5 , NGTB25N120FL , NGTB25N120FLWG , 20MT120UFAPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.