Справочник IGBT. NGTG50N60FWG

 

NGTG50N60FWG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTG50N60FWG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для NGTG50N60FWG

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG50N60FWG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  onsemi
 ngtg50n60fwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Trench construction, and provides superior performancein demanding switching applications, offering both low on statevoltage and minimal switching loss.http://onsemi.comFeatures Optimized for Very Low VCEsat Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation50 A, 600 V

 4.1. Size:169K  onsemi
 ngtg50n60flwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FWG

NGTG50N60FLWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Trench construction, and provides superior performancein demanding switching applications, offering both low on statevoltage and minimal switching loss.http://onsemi.comFeatures Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System

Другие IGBT... NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG , KGT25N135KDH , STGWA30N120KD , KGF40N60PA , NGTB50N60FLWG , NGTB50N60FWG , NGTG50N60FLWG , RJH3047 , KGF50N60KDA , IKW30N65EL5 , IKW30N65NL5 , IHW40N65R5 , IKW40N65WR5 , NGTB25N120FL , NGTB25N120FLWG , 20MT120UFAPBF .

History: FB20R06W1E3-B11 | 25MT060WFAPBF

 

 
Back to Top

 


 
.