Справочник IGBT. 20MT120UFP

 

20MT120UFP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 20MT120UFP
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.29 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 344 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 20MT120UFP

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

20MT120UFP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  vishay
 20mt120ufp.pdf pdf_icon

20MT120UFP

20MT120UFPVishay High Power Products"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverserecovery Low diode VF Square RBSOAMTP Aluminum nitride DBC Very low stray inductance

 0.1. Size:263K  vishay
 vs-20mt120ufp.pdf pdf_icon

20MT120UFP

VS-20MT120UFPwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Aluminum nitride DBC Very low s

 5.1. Size:220K  vishay
 20mt120ufapbf.pdf pdf_icon

20MT120UFP

20MT120UFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverserecovery Low diode VF Square RBSOA Al2O3 DBC substrateMTP Very low stray inductance d

 5.2. Size:220K  vishay
 vs-20mt120ufapbf.pdf pdf_icon

20MT120UFP

VS-20MT120UFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Al2O3 DBC substrate Very low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KGF50N60KDA , IKW30N65EL5 , IKW30N65NL5 , IHW40N65R5 , IKW40N65WR5 , NGTB25N120FL , NGTB25N120FLWG , 20MT120UFAPBF , IHW20N135R5 , MMG40HB120H6HN , STGWA40N120KD , RJH1CV5DPK , AUIRGB4062D1 , AUIRGS4062D1 , AUIRGSL4062D1 , KGF40N60KDA , KGT30N135KDH .

History: JT600N065F2MH1E

 

 
Back to Top

 


 
.