STGWT40H65FB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWT40H65FB
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GWT40H65FB
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для STGWT40H65FB
STGWT40H65FB Datasheet (PDF)
stgwt40h65fb.pdf

STGW40H65FB, STGFW40H65FB, STGWT40H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 High speed switching series3 Minimized tail current21 Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V TABTO-3PF(typ.) @ IC = 40 A Tight parameters distribution
stgwt40h65dfb.pdf

STGW40H65DFB STGWT40H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.60 V (typ.) @ IC = 40 A3322 Tight parameters distribution11 Safe paralleling
stgwt40h60dlfb.pdf

STGW40H60DLFB, STGWT40H60DLFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTAB High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A323 Tight parameters distribution12 Safe paralleling1 L
stgwt40hp65fb.pdf

STGWT40HP65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature: T = 175 C J Minimized tail current V = 1.6 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C Tight parameter distribution Co-packed diode for protection 3 Safe paralleling 21 Low thermal resistance TO-3PApplica
Другие IGBT... STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 , STGWT40H60DLFB , STGWT40H65DFB , MBQ50T65FDSC , STGWT40V60DF , STGWT40V60DLF , STGW50HF65SD , STGWT50HF65SD , IHW20N120R5 , IHW20N135R5 , MM60G60B , RJH1CV6DPK .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209