Справочник IGBT. IHW20N120R5

 

IHW20N120R5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW20N120R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H20MR5
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHW20N120R5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW20N120R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1903K  infineon
ihw20n120r5.pdfpdf_icon

IHW20N120R5

Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N120R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N120R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter distri

 4.1. Size:794K  infineon
ihw20n120r3 rev2 5g.pdfpdf_icon

IHW20N120R5

IHW20N120R3IH-seriesThermal ResistanceParameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseDiode thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseThermal resistanceR - 40 K/Wjunction - ambientElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwise specifiedElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwi

 4.2. Size:551K  infineon
ihw20n120r2 h20r1202.pdfpdf_icon

IHW20N120R5

H20R1202H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - hig

 4.3. Size:1861K  infineon
ihw20n120r3.pdfpdf_icon

IHW20N120R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N120R3Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight

Другие IGBT... STGWA15M120DF3 , STGWT40H60DLFB , STGWT40H65DFB , STGWT40H65FB , STGWT40V60DF , STGWT40V60DLF , STGW50HF65SD , STGWT50HF65SD , CRG15T120BNR3S , IHW20N135R5 , MM60G60B , RJH1CV6DPK , NGTB15N120FL2 , NGTB15N120FL2WG , NGTG15N120FL2 , NGTG15N120FL2WG , NGTB60N60S .

History: MGP20N14CL | IXYP10N65C3 | IRGP6690D | APT25GP90BDQ1G

 

 
Back to Top

 


 
.