IHW20N120R5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IHW20N120R5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H20MR5
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW20N120R5
IHW20N120R5 Datasheet (PDF)
ihw20n120r5.pdf

Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N120R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N120R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter distri
ihw20n120r3 rev2 5g.pdf

IHW20N120R3IH-seriesThermal ResistanceParameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseDiode thermal resistance,R - 0.48 K/Wjunction - caseThermal resistanceR - 40 K/Wjunction - ambientElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwise specifiedElectrical Characteristic, at T = 25C, unless otherwi
ihw20n120r2 h20r1202.pdf

H20R1202H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - hig
ihw20n120r3.pdf

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW20N120R3Data sheetIndustrial Power ControlIHW20N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight
Другие IGBT... STGWA15M120DF3 , STGWT40H60DLFB , STGWT40H65DFB , STGWT40H65FB , STGWT40V60DF , STGWT40V60DLF , STGW50HF65SD , STGWT50HF65SD , CRG15T120BNR3S , IHW20N135R5 , MM60G60B , RJH1CV6DPK , NGTB15N120FL2 , NGTB15N120FL2WG , NGTG15N120FL2 , NGTG15N120FL2WG , NGTB60N60S .
History: MGP20N14CL | IXYP10N65C3 | IRGP6690D | APT25GP90BDQ1G
History: MGP20N14CL | IXYP10N65C3 | IRGP6690D | APT25GP90BDQ1G



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet