IHW20N120R5 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IHW20N120R5
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW20N120R5
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IHW20N120R5 даташит
ihw20n120r5.pdf
Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode IHW20N120R5 Data sheet Industrial Power Control IHW20N120R5 Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering - very tight parameter distri
ihw20n120r3 rev2 5g.pdf
IHW20N120R3 IH-series Thermal Resistance Parameter Symbol Conditions Max. Value Unit Characteristic IGBT thermal resistance, R - 0.48 K/W junction - case Diode thermal resistance, R - 0.48 K/W junction - case Thermal resistance R - 40 K/W junction - ambient Electrical Characteristic, at T = 25 C, unless otherwise specified Electrical Characteristic, at T = 25 C, unless otherwi
ihw20n120r2 h20r1202.pdf
H20R1202 H20R1202 IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications G E offers - very tight parameter distribution - hig
ihw20n120r3.pdf
Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IHW20N120R3 Data sheet Industrial Power Control IHW20N120R3 Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers - very tight
Другие IGBT... STGWA15M120DF3 , STGWT40H60DLFB , STGWT40H65DFB , STGWT40H65FB , STGWT40V60DF , STGWT40V60DLF , STGW50HF65SD , STGWT50HF65SD , FGPF4633 , IHW20N135R5 , MM60G60B , RJH1CV6DPK , NGTB15N120FL2 , NGTB15N120FL2WG , NGTG15N120FL2 , NGTG15N120FL2WG , NGTB60N60S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet




