NGTG35N65FL2WG - аналоги и описание IGBT

 

NGTG35N65FL2WG - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NGTG35N65FL2WG

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 149 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NGTG35N65FL2WG

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG35N65FL2WG даташит

 ..1. Size:82K  onsemi
 ngtg35n65fl2wg.pdf pdf_icon

NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. www.onsemi.com Features Extremely Effici

 2.1. Size:84K  onsemi
 ngtg35n65fl2.pdf pdf_icon

NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. http //onsemi.com Features Extremely Eff

 9.1. Size:173K  onsemi
 ngtg30n60flwg.pdf pdf_icon

NGTG35N65FL2WG

NGTG30N60FLWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. http //onsemi.com Features Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System

 9.2. Size:169K  onsemi
 ngtg30n60fwg.pdf pdf_icon

NGTG35N65FL2WG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTB35N65FL2WG , NGTB40N65IHL2 , NGTB40N65IHL2WG , NGTB45N60S1 , NGTB45N60S1WG , NGTB45N60S2 , NGTB45N60S2WG , NGTG35N65FL2 , TGPF30N43P , RJH60D7BDPQ-E0 , RJH60D7DPQ-E0 , IGW50N65F5 , IGW50N65H5 , IKW50N65F5 , IKW50N65H5 , IRG8P40N120KD , IRGP6650D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.