Справочник IGBT. IRGP4760

 

IRGP4760 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP4760
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 325 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4760 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  international rectifier
 irgp4760.pdf pdf_icon

IRGP4760

IRGP4760PbF IRGP4760-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V CIC = 60A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C GE E C C G G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP4760PbFIRGP4760EPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS Solar Inverters Weldin

 0.1. Size:939K  international rectifier
 irgp4760d.pdf pdf_icon

IRGP4760

IRGP4760DPbF IRGP4760D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 60A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C G E E C C G G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP4760DPbFIRGP4760DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter

 8.1. Size:837K  international rectifier
 irgp4740d.pdf pdf_icon

IRGP4760

IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 40A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A EIRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Sola

 8.2. Size:678K  international rectifier
 irgp4750d.pdf pdf_icon

IRGP4760

IRGP4750DPbF IRGP4750D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 50A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C E E GC C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 35A EIRGP4750DPbFIRGP4750DEPbFn-channelApplications TO247ACTO247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGX400N30A3 | STGW30NB60HD | IRG4IBC30UD | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IXBF12N300 | IRGB4086

 

 
Back to Top

 


 
.