IRGP6660D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP6660D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 95 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP6660D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP6660D даташит

 ..1. Size:682K  international rectifier
 irgp6660d.pdf pdf_icon

IRGP6660D

IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 60A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Feat

 8.1. Size:637K  international rectifier
 irgp6690dpbf irgp6690d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP6660D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 8.2. Size:688K  international rectifier
 irgp6650d.pdf pdf_icon

IRGP6660D

IRGP6650DPbF IRGP6650D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 50A, TC =100 C E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 35A IRGP6650DPbF IRGP6650D EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

 8.3. Size:649K  international rectifier
 irgp6690d.pdf pdf_icon

IRGP6660D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGW25M120DF3, STGWA25M120DF3, NGTB30N120IHL, NGTB30N120IHLWG, NGTB40N120IHL, NGTB40N120IHLWG, IRGP4063D1, IRGP4660D, IRG4PF50W, MMG50H120X6HN, MMG50S120B6HN, IKW50N60T, NGTB15N120IHR, NGTB15N120IHRWG, NGTB20N120IH, NGTB20N120IHWG, MMG150H160UX6TN