Справочник IGBT. IHW30N120R3

 

IHW30N120R3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N120R3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30R1203
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 349 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 263 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW30N120R3

 

 

IHW30N120R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1950K  infineon
 ihw30n120r3.pdf

IHW30N120R3 IHW30N120R3

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N120R3Data sheetIndustrial Power ControlIHW30N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter d

 4.1. Size:1440K  infineon
 ihw30n120r5.pdf

IHW30N120R3 IHW30N120R3

IHW30N120R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temperature stable behaviorE- low VCEsat- easy parallel switching capability due to positive

 4.2. Size:579K  infineon
 ihw30n120r2.pdf

IHW30N120R3 IHW30N120R3

IHW30N120R2 Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TM TrenchStop and Fieldstop technology for 1200V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior

 4.3. Size:360K  infineon
 ihw30n120r2 rev1 5g.pdf

IHW30N120R3 IHW30N120R3

IHW30N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NP

Другие IGBT... NGTB15N120IHRWG , NGTB20N120IH , NGTB20N120IHWG , MMG150H160UX6TN , MMG75H120X6TN , MMG75S120B6TN , MMG75W120X6TN , MMG75W120XB6TN , RJP30H2A , IHW30N135R3 , IRG8P50N120KD , MMG100HB060H6EN , MMG50HB120H6UN , KGF40N120KDA , KGF75N60KDB , NGTB15N135IHR , MMG50J120U .

 

 
Back to Top