IRG8P50N120KD - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IRG8P50N120KD. Основные параметры


   Наименование: IRG8P50N120KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRG8P50N120KD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG8P50N120KD даташит

 ..1. Size:615K  international rectifier
 irg8p50n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P50N120KD

IRG8P50N120KDPbF IRG8P50N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 50A, TC =100 C tSC 10 s, TJ(max) = 150 C C E G E G C G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 35A IRG8P50N120KDPbF IRG8P50N120KD EPbF n-channel TO 247AC Applications TO 247AD G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Em

 9.1. Size:654K  international rectifier
 irg8p25n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P50N120KD

IRG8P25N120KDPbF IRG8P25N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 25A, TC =100 C E tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E G C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 15A IRG8P25N120KDPbF IRG8P25N120KD EPbF n-channel TO 247AC Applications TO 247AD G C E Industrial Motor Drive Gate Collector

 9.2. Size:640K  international rectifier
 irg8p15n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P50N120KD

IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 15A, TC =100 C E tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E G C G G C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 10A IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD EPbF n-channel TO 247AC Applications TO 247AD G C E Industrial Motor Drive Gate Collector E

 9.3. Size:659K  international rectifier
 irg8p08n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P50N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 8A, TC =100 C tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E C G E C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G E TO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTB20N120IHWG , MMG150H160UX6TN , MMG75H120X6TN , MMG75S120B6TN , MMG75W120X6TN , MMG75W120XB6TN , IHW30N120R3 , IHW30N135R3 , GT30J127 , MMG100HB060H6EN , MMG50HB120H6UN , KGF40N120KDA , KGF75N60KDB , NGTB15N135IHR , MMG50J120U , STGW60H65DF , STGW60H65DRF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.