Справочник IGBT. STGW60V60F

 

STGW60V60F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW60V60F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGW60V60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1323K  st
stgw60v60f.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution3 Safe paralleling21 Low thermal resistance Lead free packageTO-247Applications Photovoltaic in

 5.1. Size:1625K  st
stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A332211 Tight parameter distributionTO-247TO-247 long leads Safe parallelingTAB Low thermal resistan

 5.2. Size:1723K  st
stgw60v60df.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60DF, STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution33 Safe paralleling221 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antipa

 8.1. Size:1574K  st
stgw60h65dfb.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current3322 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A11TO-3PTO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling

Другие IGBT... STGW25H120DF2 , STGW25H120F2 , STGW25S120DF3 , STGW28IH125DF , STGW60H60DLFB , STGW60H65DFB , STGW60H65FB , STGW60V60DF , GT45F122 , STGWA25H120DF2 , STGWA25H120F2 , STGWA25S120DF3 , STGWA60H65DFB , STGWT28IH125DF , STGWT60H60DLFB , STGWT60H65DFB , STGWT60H65FB .

History: LGM100HF120S2F1A | SGL5N60RUFD | AP30G120W | MMG50H120H6HN | STGWA60NC60WDR | RJH60D5DPM | SGB10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.