STGW60V60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGW60V60F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGW60V60F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW60V60F даташит

 ..1. Size:1323K  st
stgw60v60f.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 2 1 Low thermal resistance Lead free package TO-247 Applications Photovoltaic in

 5.1. Size:1625K  st
stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A 3 3 2 2 1 1 Tight parameter distribution TO-247 TO-247 long leads Safe paralleling TAB Low thermal resistan

 5.2. Size:1723K  st
stgw60v60df.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60V60DF, STGWT60V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution 3 3 Safe paralleling 2 2 1 Low thermal resistance 1 Very fast soft recovery antipa

 8.1. Size:1574K  st
stgw60h65dfb.pdfpdf_icon

STGW60V60F

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 3 3 2 2 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A 1 1 TO-3P TO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling

Другие IGBT... STGW25H120DF2, STGW25H120F2, STGW25S120DF3, STGW28IH125DF, STGW60H60DLFB, STGW60H65DFB, STGW60H65FB, STGW60V60DF, IRG7R313U, STGWA25H120DF2, STGWA25H120F2, STGWA25S120DF3, STGWA60H65DFB, STGWT28IH125DF, STGWT60H60DLFB, STGWT60H65DFB, STGWT60H65FB