NGTG25N120FL2 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги NGTG25N120FL2. Основные параметры

   Наименование: NGTG25N120FL2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 74 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 151 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам