NGTG25N120FL2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NGTG25N120FL2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 74 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 151 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NGTG25N120FL2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG25N120FL2 даташит

 ..1. Size:139K  onsemi
 ngtg25n120fl2.pdf pdf_icon

NGTG25N120FL2

 0.1. Size:200K  onsemi
 ngtg25n120fl2wg.pdf pdf_icon

NGTG25N120FL2

Другие IGBT... NGTB30N120IHR, NGTB30N120IHRWG, NGTB40N120IHR, NGTB40N120IHRWG, NGTB25N120FL2, NGTB25N120FL2WG, NGTB25N120S, NGTB25N120SWG, GT45F122, NGTG25N120FL2WG, NGTB20N135IHR, NGTB20N135IHRWG, NGTB30N135IHR, NGTB30N135IHRWG, NGTB40N135IHR, NGTB40N135IHRWG, STGW40H120DF2