STGW80H65DFB - аналоги и описание IGBT

 

STGW80H65DFB - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGW80H65DFB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 385 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGW80H65DFB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW80H65DFB даташит

 ..1. Size:1459K  st
 stgw80h65dfb.pdf pdf_icon

STGW80H65DFB

STGY80H65DFB, STGW80H65DFB, STGWA80H65DFB STGWT80H65DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series 3 Minimized tail current 3 2 2 1 1 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A Max247 TO-247 Tight parameter distribution TAB Safe par

 ..2. Size:663K  st
 stgw80h65dfb stgwt80h65dfb.pdf pdf_icon

STGW80H65DFB

STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C TAB High speed switching series Minimized tail current 3 2 3 Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A 1 2 1 Tight parameter distribution TO-247 TO-3P Safe paralleling Positive VCE(s

 5.1. Size:1471K  st
 stgw80h65fb.pdf pdf_icon

STGW80H65DFB

STGW80H65FB, STGWA80H65FB, STGWT80H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C TAB High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A 3 3 Tight parameter distribution 2 2 1 1 Safe paralleling TO-3P TO-247 Low

 8.1. Size:1643K  st
 stgw80v60f.pdf pdf_icon

STGW80H65DFB

STGFW80V60F, STGW80V60F, STGWT80V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A 2 1 Tight parameters distribution TAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 Applicati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTB40N135IHR , NGTB40N135IHRWG , STGW40H120DF2 , STGW40H120F2 , STGW40M120DF3 , STGWA40H120DF2 , STGWA40M120DF3 , STGWA40S120DF3 , IHW40T60 , STGW80H65FB , STGW80V60DF , STGW80V60F , STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.