IRGP6690D - аналоги и описание IGBT

 

IRGP6690D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP6690D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 483 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 86 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP6690D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP6690D даташит

 ..1. Size:649K  international rectifier
irgp6690d.pdfpdf_icon

IRGP6690D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 0.1. Size:637K  international rectifier
irgp6690dpbf irgp6690d-epbf.pdfpdf_icon

IRGP6690D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 8.1. Size:682K  international rectifier
irgp6660d.pdfpdf_icon

IRGP6690D

IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 60A, TC =100 C tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Feat

 8.2. Size:688K  international rectifier
irgp6650d.pdfpdf_icon

IRGP6690D

IRGP6650DPbF IRGP6650D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 50A, TC =100 C E tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E C G C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 35A IRGP6650DPbF IRGP6650D EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

Другие IGBT... IRGP4790D , MMG75S060B6N , 40MT120UHAPBF , 40MT120UHTAPBF , MMG75H120H6HN , MMG75HB120H6HN , MMG75HB120H6UN , MMG75S060B6R , FGH40N60SFD , MM50G120L , MMG100S060B6N , MMG150HB060H6EN , MMG150S060B6EN , MMG50SR120B , MMG50SR120DE , MMG50SR120FZB , MMG50SR120UA .

History: MMG75HB120H6HN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.